シリコン単結晶の引上げ方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257762
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086384
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 V/G<SB>1</SB>値が格子間シリコン型グローイン欠陥領域に入っても、過飽和な格子間シリコン濃度を低く抑えることができ、凝集開始温度を低下させることができ、更に転位クラスタのサイズを小さくすることができる。【解決手段】石英るつぼ14に貯留されたシリコン融液13からシリコン単結晶11を引上げる。このシリコン単結晶11の引上げ速度をV(mm/分)、シリコンの融点から1300°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG<SB>1</SB>(°C/mm)とするとき、シリコン単結晶11の中心から外周までの全ての位置で、0.18(mm<SP>2</SP>/分・°C) ≦ V/G<SB>1</SB> < 0.2(mm<SP>2</SP>/分・°C)の条件でシリコン単結晶11を引上げる。

請求項（抜粋）：

石英るつぼ(14)に貯留されたシリコン融液(13)からシリコン単結晶(11)を引上げる方法において、前記単結晶(11)の引上げ速度をV(mm/分)、シリコンの融点から1300°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG<SB>1</SB>(°C/mm)とするとき、単結晶(11)の中心から外周までの全ての位置で、0.18(mm<SP>2</SP>/分・°C) ≦ V/G<SB>1</SB> < 0.2(mm<SP>2</SP>/分・°C)の条件で前記単結晶(11)を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (6件)：

C30B 15/14 , C30B 15/00 , C30B 15/20 , C30B 29/06 502 , C30B 29/06 , H01L 21/208

FI (6件)：

C30B 15/14 , C30B 15/00 Z , C30B 15/20 , C30B 29/06 502 J , C30B 29/06 502 E , H01L 21/208 P

Fターム (17件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EH06 , 4G077EH09 , 4G077PA10 , 4G077PF51 , 4G077PF55 , 5F053AA12 , 5F053AA13 , 5F053AA21 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053RR03

引用特許：

出願人引用 (6件)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-158458 出願人：住友シチックス株式会社
単結晶引上装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-104568 出願人：川崎製鉄株式会社
結晶成長装置及び結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-257962 出願人：住友金属工業株式会社

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審査官引用 (1件)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-158458 出願人：住友シチックス株式会社

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