低抵抗型化合物半導体材料を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-074822
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217199
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】低抵抗のp型化合物半導体材料の製造方法を提供することである。【解決手段】基板上に低抵抗p型化合物半導体材料を形成する方法であって、(a)基板上にp型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、(b)p型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に低抵抗p型化合物半導体材料を形成する方法であって、(a)基板上にp型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、(b)p型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えた低抵抗p型化合物半導体材料を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/268 Z , H01L 21/324 C , H01L 33/00 B , H01L 33/00 C , H01L 33/00 D

Fターム (11件)：

5F041CA34 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA44 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA54 , 5F041CA55 , 5F041CA57 , 5F041CA77

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-174828 出願人：シャープ株式会社
p型化合物半導体の低抵抗化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-074645 出願人：新日本製鐵株式会社
特開昭63-173321

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