特許
J-GLOBAL ID：200903060705678632

プラズマ処理装置と基板処理システムおよびプラズマ処理方法

発明者：
上田 博一

上田 博一 について

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石橋 清隆

石橋 清隆 について

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野沢 俊久

野沢 俊久 について

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大塚 康弘

大塚 康弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-305458
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130240
出願日： 2007年11月27日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。【解決手段】処理容器30内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板W2と相対的に大型の基板W1を処理容器30内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置5であって、処理容器30内には、基板W1、W2を選択的に上面に載置させる載置台31が設けられ、載置台31の上面の中央部31’には、載置台31の上面の中央部31’に載置される小型の基板W2の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材70が設けられ、載置台31の上面の周辺部31”には、載置台31の上面の中央部に載置された小型の基板W2の外側において昇降自在な周辺昇降部材75が設けられ、周辺昇降部材75は、載置台31の上面に載置される大型の基板W1の裏面を支持可能な位置に配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を前記処理容器内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置であって、 前記処理容器内には、相対的に小型の基板と相対的に大型の基板を選択的に上面に載置させる載置台が設けられ、 前記載置台の上面の中央部には、前記載置台の上面の中央部に載置される比較的小型の基板の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材が設けられ、 前記載置台の上面の周辺部には、前記載置台の上面の中央部に載置された比較的小型の基板の外側において昇降自在な周辺昇降部材が設けられ、 前記周辺昇降部材は、前記載置台の上面に載置される比較的大型の基板の裏面を支持可能な位置に配置されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/683
FI (4件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/316 X ,  H01L21/302 101G ,  H01L21/68 N
Fターム (44件)：
5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031GA02 ,  5F031GA43 ,  5F031HA08 ,  5F031MA04 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05 ,  5F031PA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AF11 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F045EN06 ,  5F045EN08 ,  5F058BC02 ,  5F058BF08 ,  5F058BF25 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
  • 熱処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305608   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-149995   出願人：松下電器産業株式会社

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