特許
J-GLOBAL ID：200903060717621253
AlxGayIn1-x-yN結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-161762
公開番号（公開出願番号）：特開2005-343704
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 クラックの発生を低減したAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶基板および半導体デバイスを提供する。【解決手段】 ハロゲン化アルミニウムガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によってGaN結晶基板の表面上にAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶を成長させる工程と、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の成長時におけるGaN結晶基板の温度を800°C以上1200°C以下とした状態でGaN結晶基板をエッチングにより除去する工程とを含むAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶基板および半導体デバイスである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ハロゲン化アルミニウムガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって窒化ガリウム結晶基板の表面上にAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶を成長させる工程と、前記AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の成長時における窒化ガリウム結晶基板の温度を800°C以上1200°C以下とした状態で前記窒化ガリウム結晶基板をエッチングにより除去する工程と、を含む、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077DB05
, 4G077EA01
, 4G077EB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TC17
, 4G077TK01
, 4G077TK11
