特許
J-GLOBAL ID:200903060889157516

配線基板及びそれを用いた半導体装置並びに配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川澄 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-324418
公開番号(公開出願番号):特開2003-133466
出願日: 2001年10月23日
公開日(公表日): 2003年05月09日
要約:
【要約】【課題】高周波信号(高周波電流)を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、高周波特性の劣化を防ぐ。【解決手段】絶縁基板の第1主面に、半導体チップの外部電極(ボンディングパッド)と接続される第1配線が設けられ、前記絶縁基板の第1主面と対向する第2主面に、前記第1配線と電気的に接続された第2配線が設けられており、前記第2配線のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線が、前記絶縁基板の全面に広がっている配線基板において、前記絶縁基板は、所定領域に凹部が設けられており、前記第1配線の、前記半導体チップの外部電極と接続される領域、及び前記第2配線と接続される領域を除く領域が、前記絶縁基板の凹部上を通る配線基板である。
請求項(抜粋):
絶縁基板の第1主面に、半導体チップの外部電極(ボンディングパッド)と接続される第1配線が設けられ、前記絶縁基板の第1主面と対向する第2主面に、前記第1配線と電気的に接続された第2配線が設けられており、前記第2配線のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線が、前記絶縁基板の全面に広がっている配線基板において、前記絶縁基板は、所定領域に凹部が設けられており、前記第1配線の、前記半導体チップの外部電極と接続される領域、及び前記第2配線と接続される領域を除く領域が、前記絶縁基板の凹部上を通ることを特徴とする配線基板。
IPC (4件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/18
FI (6件):
H01L 23/12 301 C ,  H05K 1/02 C ,  H05K 1/02 N ,  H05K 1/18 L ,  H01L 23/12 E ,  H01L 23/12 B
Fターム (20件):
5E336AA04 ,  5E336BB02 ,  5E336BB12 ,  5E336BB16 ,  5E336BC25 ,  5E336BC34 ,  5E336CC31 ,  5E336CC58 ,  5E336EE01 ,  5E336GG11 ,  5E338AA02 ,  5E338AA12 ,  5E338AA16 ,  5E338BB02 ,  5E338BB19 ,  5E338CC01 ,  5E338CC06 ,  5E338CD02 ,  5E338CD23 ,  5E338EE14
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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