特許
J-GLOBAL ID：200903067916694655
高周波パッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346698
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168237
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 準ミリ波〜90GHz帯域における高周波特性に優れ、かつ良好な封止構造とすることができると共に、製造が容易で、コストを削減することができ、強度的にも優れた高周波パッケージを提供すること。【解決手段】 誘電体基板11の一主面側に絶縁体製の環状枠体12と、環状枠体12の内外領域に環状枠体12を挟んで対向して信号線層14、15を形成し、これら信号線層14、15の周囲にギャップg1 、g2 を介してグランド層22を形成し、信号線層14、15の少なくとも片方に環状枠体12を掛かるようにし、誘電体基板11の他主面側には信号線層16と、信号線層16の周囲にギャップg3 を介してグランド層24を形成し、信号線層14、15の各一端部と信号線層16の両端部とを接続する導体ビア17を形成すると共に、信号線層14、15、16を挟んで、その両側にグランド層22とグランド層24とを接続する複数個の導体ビア25a、25bを所定間隔毎に形成する。
請求項（抜粋）：
誘電体基板の一主面側に絶縁体製の環状枠体と、該環状枠体の内外領域に前記環状枠体を挟んで対向して形成された第1及び第2の信号線層と、これら第1及び第2の信号線層の周囲にギャップを介して形成された第1のグランド層とを備え、前記第1及び第2の信号線層の少なくとも片方が前記環状枠体に掛かって形成され、前記誘電体基板の他主面側には第3の信号線層と、該第3の信号線層の周囲にギャップを介して形成された第2のグランド層とを備え、前記第1及び第2の信号線層の各一端部と前記第3の信号線層の両端部とを接続する第1の導体ビアを備えると共に、前記第1〜第3の信号線層を挟んで、その両側に前記第1のグランド層と前記第2のグランド層とを接続する複数個の第2の導体ビアが所定間隔毎に形成されていることを特徴とする高周波パッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/02
H01L 23/12 301 Z
, H01L 23/02 H
