半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307202
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079314
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】効率的なデータ書き込みを可能とした半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路装置は、基板と、前記基板上に形成され配列された、前記基板と絶縁分離され且つ相互に絶縁分離された第1導電型の半導体層と、前記各半導体層に形成されて、第2導電型のソース及びドレイン層とゲート電極を有し、そのチャネルボディの多数キャリア蓄積状態によりデータを記憶するセルトランジスタと、前記各半導体層に前記各セルトランジスタのドレイン層との間でPN接合を構成するように形成された、前記セルトランジスタのチャネルボディに多数キャリアを注入するための第1導電型のエミッタ層とを有する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され配列された、前記基板と絶縁分離され且つ相互に絶縁分離された第1導電型の半導体層と、前記各半導体層に形成されて、第2導電型のソース及びドレイン層とゲート電極を有し、そのチャネルボディの多数キャリア蓄積状態によりデータを記憶するセルトランジスタと、前記各半導体層に前記各セルトランジスタのドレイン層との間でPN接合を構成するように形成された、前記セルトランジスタのチャネルボディに多数キャリアを注入するための第1導電型のエミッタ層と、を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L21/8242 , G11C11/401 , G11C11/407 , H01L27/108

FI (4件)：

H01L27/10 321 , G11C11/34 354D , G11C11/34 352Z , G11C11/34 362A

Fターム (30件)：

5F083AD69 , 5F083AD70 , 5F083GA09 , 5F083GA15 , 5F083HA02 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083NA08 , 5M024AA20 , 5M024AA36 , 5M024AA37 , 5M024BB02 , 5M024BB12 , 5M024BB13 , 5M024CC20 , 5M024CC22 , 5M024CC54 , 5M024CC92 , 5M024DD02 , 5M024DD25 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP04 , 5M024PP05 , 5M024QQ10

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-039122 出願人：株式会社東芝
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-220461 出願人：株式会社東芝
米国特許第5,448,513号明細書

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審査官引用 (8件)

ボディ・コンタクト式ダイナミック・メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-131777 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
シリコン-オン-インシュレータ基板上のキャパシタ無しDRAM素子
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-515771 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
半導体記憶装置及びその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020089 出願人：富士通株式会社

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