特許
J-GLOBAL ID：200903060942626183

絶縁膜エッチング装置

発明者：
佐護 康実

佐護 康実 について

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小河原 米一

小河原 米一 について

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宮前 昌典

宮前 昌典 について


出願人/特許権者：
キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-333816
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067455
出願日： 2006年12月11日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。【解決手段】 プロセスチャンバー1内の基板ホルダー2上に基板9が保持され、エッチング用ガスがガス導入系3により導入される。プラズマ形成手段4に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板9の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部8は、エッチング終了後、搬送ロボット51により基板9をプロセスチャンバー1から取り出し、プロセスチャンバー1内を排気系により排気した後、クリーニング用ガスをガス導入系3により導入し、プラズマ形成用手段4によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー1内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ12は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ12は交換可能であり、その前面は堆積した膜の剥離を防止する凹凸があって、表面は酸化物又は絶縁物である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
排気系を有するとともに内部でエッチング処理が行われるプロセスチャンバーと、プロセスチャンバー内の所定位置に基板を保持する基板ホルダーと、エッチング作用のあるガスをプロセスチャンバー内に導入するガス導入系と、導入されたガスのプラズマを形成するプラズマ形成手段と、未処理の基板をプロセスチャンバー内に搬入するとともに処理済みの基板をプロセスチャンバーから搬出する搬送系とを備え、プラズマ中で生成される種の作用により基板の表面の絶縁膜をエッチングする絶縁膜エッチング装置であって、 前記プロセスチャンバー内であって前記基板ホルダーに保持された基板の表面より下方の位置のみを占めるようにして、強制冷却される冷却トラップが設けられており、この冷却トラップは、堆積作用のあるガス分子を捕集することで他の場所に比して多くの膜を堆積させるものであり、交換可能に取り付けられていることを特徴とする絶縁膜エッチング装置。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/302 101H
Fターム (28件)：
5F004AA13 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC02 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BD03 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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