特許
J-GLOBAL ID：200903061015045366

薄膜コンデンサの製造方法

発明者：
竹島 裕

竹島 裕 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095517
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283369
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】Pb(Mg,Nb)O3 系などのPb元素を含有するペロブスカイト型の高誘電率のセラミック膜を、Ptなどの電極上に相互の反応を抑えて形成する薄膜コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】基板31上に第1の電極32を形成する工程と、該第1の電極32上に、該第1の電極の表面温度が700〜850°Cであって酸素分圧が267〜667Paの条件下で、Pb元素を含有する誘電体セラミック膜33をCVD法で形成する工程と、該誘電体セラミック膜33の上に第2の電極34を形成する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極を形成する工程と、該第1の電極上に、該第1の電極の表面温度が700〜850°Cであって酸素分圧が267〜667Paの条件下で、Pb元素を含有する誘電体セラミック膜をCVD法で形成する工程と、該誘電体セラミック膜の上に第2の電極を形成する工程とを備える、薄膜コンデンサの製造方法。
IPC (7件)：
H01G 4/33 ,  H01B 3/12 313 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5件)：
H01G 4/06 102 ,  H01B 3/12 313 Z ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)

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