特許
J-GLOBAL ID：200903061040481871
シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松澤 統
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052800
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247785
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：
【要約】【課題】 単結晶育成時に発生した成長欠陥をシリコンウェーハの表層から除去し、かつ、水素熱処理による重金属汚染を最小限に抑えることが可能なシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 水素ガスと不活性ガスとの混合比を、前記混合ガスの露点とシリコンウェーハの熱処理温度とに基づいて熱力学的に決定する。そして、シリコン酸化物を還元するために必要な水素含有量比以上の水素を含む混合ガスを用いて熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
水素ガスと不活性ガスとからなる、露点管理された混合ガスの雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 33/02
, H01L 21/324
C30B 29/06 B
, C30B 33/02
, H01L 21/324 X
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077FE05
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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