特許
J-GLOBAL ID：200903061063415230
半導体装置及び半導体装置の製造方法及び基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-157807
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021987
出願日： 2007年06月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】本発明は半導体装置の小型化及び省スペース化することを課題とする。【解決手段】半導体装置100は、半導体基板102の上面に発光素子120が実装されている。半導体基板102の不純物拡散領域には、導電型のP層104と、P層104に導電型のN型不純物が注入されて拡散されたN層106からなるツェナーダイオード(半導体素子)108が形成されている。半導体基板102は、シリコン(Si)により形成されており、その表面には、絶縁層としての酸化膜112が形成されている。半導体基板102の上面側には、上面側配線層114A,114Bが形成されている。発光素子120の電極122,124は、上面側配線層114A,114Bを介して貫通電極110A,110Bに接続されており、且つP層104とN層106は上面側配線層114A,114Bを介して発光素子120に対して並列となるように接続されている。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
基板に電子部品が実装されてなる半導体装置であって、
前記基板が半導体基板により形成され、前記半導体基板の不純物拡散領域に形成された半導体素子の領域が前記電子部品と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/16
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L25/16 A
, H01L25/08 Z
出願人引用 (1件)
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半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-243109
出願人：松下電子工業株式会社
審査官引用 (3件)
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