照度センサチップ、照度センサ、照度測定装置、および照度測定方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-276150
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176192
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】製造コスト的に有利に、可視光の光量を反映した照度を測定することができる技術を提供する。【解決手段】照度センサチップにおいて、第1半導体層と、上記第1半導体層に接合された第2半導体層と、を有し、上記第1半導体層と上記第2半導体層との接合部分に上記第2半導体層を介して光が入射した場合に、上記接合部分への入射光量に応じた電気信号を出力するように構成し、上記第2半導体層の厚みを、上記電気信号の出力量を基準とした分光感度特性におけるピーク感度波長が、可視光の波長範囲(たとえば580〜600nm)となるように、たとえば2〜4μm設定した。第2半導体層をシリコン半導体として構成するとともに、照度センサを、npn接合を有するフォトトランジスタとして構成する。

請求項（抜粋）：

第1半導体層と、上記第1半導体層に接合された第2半導体層と、を有し、上記第1半導体層と上記第2半導体層との接合部分に上記第2半導体層を介して光が入射した場合に、上記接合部分への入射光量に応じた電気信号を出力するように構成されており、かつ、上記第2半導体層の厚みは、上記電気信号の出力量を基準とした分光感度特性におけるピーク感度波長が、可視光の波長範囲となるように設定されていることを特徴とする、照度センサチップ。

IPC (5件)：

H01L 31/10 , G01J 1/02 , G01J 1/42 , G02F 1/133 580 , H01L 31/02

FI (5件)：

G01J 1/02 S , G01J 1/42 J , G02F 1/133 580 , H01L 31/10 A , H01L 31/02 B

Fターム (36件)：

2G065AA03 , 2G065AB04 , 2G065BA07 , 2G065BA09 , 2G065BB25 , 2G065BC05 , 2G065BC13 , 2G065BC33 , 2G065BC35 , 2G065BD01 , 2G065CA08 , 2H093ND01 , 2H093ND04 , 2H093ND08 , 2H093NE05 , 2H093NG20 , 5F049MA12 , 5F049MB03 , 5F049MB12 , 5F049NA10 , 5F049NB10 , 5F049PA03 , 5F049SS03 , 5F049SZ12 , 5F049TA03 , 5F049TA09 , 5F049UA20 , 5F049WA03 , 5F088AA08 , 5F088AB03 , 5F088BB06 , 5F088GA04 , 5F088JA06 , 5F088JA10 , 5F088KA10 , 5F088LA03

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開昭59-022371
光学センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-159864 出願人：株式会社ノーリツ
特開昭61-113287

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