特許
J-GLOBAL ID:200903061129698114
金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-028993
公開番号(公開出願番号):特開2007-208216
出願日: 2006年02月06日
公開日(公表日): 2007年08月16日
要約:
【課題】絶縁膜、導体膜及びバリア金属膜を有する基板を、同一の金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、研磨後の被研磨面の平坦性が良好で、且つ、スクラッチの発生を低減できる金属用研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】 半導体デバイス製造において銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜とを同一の金属用研磨液で連続的に化学的機械的研磨する際に用いる金属用研磨液であって、下記成分(1)、下記成分(2)及び下記成分(3)を含むことを特徴とする金属用研磨液。(1)表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子で修飾されているコロイダルシリカ(2)酸化剤(3)カルボキシル基を2つ以上有するアミノ酸【選択図】なし
請求項(抜粋):
半導体デバイス製造において銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜とを同一の金属用研磨液で連続的に化学的機械的研磨する際に用いる金属用研磨液であって、下記成分(1)、下記成分(2)及び下記成分(3)を含むことを特徴とする金属用研磨液。
(1)表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子で修飾されているコロイダルシリカ
(2)酸化剤
(3)カルボキシル基を2つ以上有するアミノ酸
IPC (3件):
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
FI (4件):
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
Fターム (8件):
3C058AA07
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058CB03
, 3C058CB07
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
引用特許: