特許
J-GLOBAL ID：200903061172565810

半導体受光素子、それを備えた光電変換回路およびそれらの製造方法

発明者：
米田 昌博

米田 昌博 について

, 
山日 竜二

山日 竜二 について


出願人/特許権者：
ユーディナデバイス株式会社

ユーディナデバイス株式会社 について


代理人 (3件)： 片山 修平 ,  八田 俊之 ,  横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-182325
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010776
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】 短波長範囲の信号光に対しても高い量子効率を有する半導体受光素子、それを備えた光電変換回路およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体受光素子(100)は、半導体基板(1)と、半導体基板上に設けられ半導体基板と格子整合し第1導電性の不純物を含有し第1のバンドギャップエネルギを有する第1半導体層(2)と、第1半導体層上に設けられ第1のバンドギャップエネルギを有し第1半導体層よりも低濃度の第1導電性の不純物を含有しまたは実質的にアンドープの第2半導体層(3)と、第2半導体層上に設けられ第1導電性と異なる第2導電性の不純物を含有し第1のバンドギャップエネルギを有する第3半導体層(10)と、第3半導体層上に設けられ第1のバンドギャップよりも大きい第2のバンドギャップを有し層厚が5nm以上50nm以下であり光入射側となる第4半導体層(8)とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられ、前記半導体基板と格子整合し、第1導電性の不純物を含有し、第1のバンドギャップエネルギを有する第1半導体層と、 前記第1半導体層上に設けられ、前記第1のバンドギャップエネルギを有し、前記第1半導体層よりも低濃度の前記第1導電性の不純物を含有しまたは実質的にアンドープの第2半導体層と、 前記第2半導体層上に設けられ、前記第1導電性と異なる第2導電性の不純物を含有し、前記第1のバンドギャップエネルギを有する第3半導体層と、 前記第3半導体層上に設けられ、前記第1のバンドギャップよりも大きい第2のバンドギャップを有し、層厚が5nm以上50nm以下であり、光入射側となる第4半導体層とを備えることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 D
Fターム (17件)：
5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA20 ,  5F049RA08 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ12 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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