特許
J-GLOBAL ID：200903061192867481
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249626
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 チップパタ-ン等に起因する研磨残膜のバラツキの発生を抑えると共に低コスト化を図る層間絶縁膜等の平坦化方法を提供する。【構成】 層間絶縁膜14上の全面にストッパ膜15を形成後、凸部分を研磨しほぼ平坦になった状態で、一旦研磨を停止する。ストッパ膜15aを等方性エッチングにより選択的に除去した後、再び層間絶縁膜14を研磨して完全に平坦化する。
請求項（抜粋）：
段差形状の表面を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、上記層間絶縁膜上の全面にストッパ膜を形成する工程と、上記層間絶縁膜と上記ストッパ膜との両膜を同一面に露出するまで研磨する工程と、上記ストッパ膜の残膜をエッチングして除去する工程と、上記層間絶縁膜を研磨して平坦にする工程とを具備する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 321
H01L 21/88 K
, H01L 21/302 L
