半導体装置およびその作製方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-189573
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049859
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成し、他の基体に転写して分断を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微細なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため移動時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。【解決手段】本発明は、剥離層に達する多数の穴または多数の溝を設け、穴(または溝)およびデバイス部に重ならない領域にパターン形状を有する材料体を設けた後、ハロゲン化フッ素を含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に第1部分及び第2部分を含む層を形成し、前記第1部分及び前記第2部分を含む層に対して前記剥離層に達する開口を形成し、前記第1の部分と前記第2の部分の間に位置する第3部分に材料体を形成し、前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去し、且つ、前記第3部分と重なる前記剥離層の一部を残存させ、絶縁表面を有する基板から前記第1部分及び前記第2部分を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , G06K 19/07 , G06K 19/077

FI (3件)：

H01L27/12 B , G06K19/00 H , G06K19/00 K

Fターム (6件)：

5B035AA04 , 5B035BA02 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-053737 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-079708 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

表示装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-005860 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-401378 出願人：セイコーエプソン株式会社
エレメントの移動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-218103 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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