半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-332701
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098674
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】従来よりも電流駆動力の大きな窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、サファイア基板11と、サファイア基板11上に設けられたGaNからなる半導体層12と、半導体層12上に設けられた多層膜13と、多層膜13にオーミックコンタクトする電極14とを備えている。多層膜13は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にn型不純物を含む2つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、2つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極14と多層膜13との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、上記基板上に設けられ、駆動時にキャリアが走行する第1のIII族窒化物半導体層と、上記第1のIII族窒化物半導体層の上に設けられ、上記第1のIII族窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きいバリア層と、上記バリア層の上または上方に設けられたオーミック電極とを備えた半導体装置であって、上記バリア層のうち、上記バリア層の上面からの距離が20nm以下の領域に、不純物を含むドープ層が設けられている、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L29/80 Q , H01L21/28 301B , H01L21/28 A

Fターム (31件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104FF13 , 4M104GG11 , 4M104HH15 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GN09 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR15 , 5F102GR17 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC04 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (3件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330221 出願人：日本電気株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-155958 出願人：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-288709 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090490 出願人：松下電器産業株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094680 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭63-001064

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