特許
J-GLOBAL ID：200903061280196201

窒化物ベースのトランジスタ及びトランジスタ構造体のキャップ層及び/又は不活性層並びにそれらの製造方法

発明者：
アダム ウィリアム サクスラー

アダム ウィリアム サクスラー について

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スコット シェパード

スコット シェパード について

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リチャード ピーター スミス

リチャード ピーター スミス について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-543022
公開番号（公開出願番号）：特表2008-521248
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
不均一アルミニウム濃度のAlGaNをベースとするキャップ層を備えるIII族窒化物高電子移動度トランジスタが提供される。このキャップ層は、それが上に設けられたバリア層から遠い方のその表面付近に高い濃度のアルミニウム濃度を有する。キャップ層を備える高電子移動度トランジスタが提供される。このキャップ層は、それが上に設けられるバリア層から遠い方のその表面付近にドープ領域を有する。広バンドギャップ半導体デバイスの黒鉛状BN不活性構造体が提供される。また、III族窒化物半導体デバイスのSiC不活性構造体が提供される。また、不活性構造体の酸素アニールも提供される。また、凹部のないオーミックコンタクトも提供される。
請求項（抜粋）：
III族窒化物ベースのチャネル層と、 該チャネル層上に設けられたIII族窒化物ベースのバリア層と、 該バリア層上に設けられた不均一組成AlGaNベースのキャップ層とを備え、 該キャップ層が、前記バリア層から遠い方の前記キャップ層の表面付近に、前記AlGaNベースのキャップ層内の領域に存在するよりも高い濃度のAlを有することを特徴とするIII族窒化物高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (26件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (23件)
  • 米国特許第5192987号明細書
  • 米国特許出願第10/849589号明細書
  • 米国特許出願公報第2003/0020092号明細書
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審査官引用 (6件)
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