特許
J-GLOBAL ID：200903024802234025

半導体三端子装置

発明者：
二瓶 瑞久

二瓶 瑞久 について

, 
渡邊 祐

渡邊 祐 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095895
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284578
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 化合物半導体三端子装置におけるゲート電極からの金層元素が半導体層及びチャネル層中に拡散してしきい値を変動させることを抑制する。【解決手段】 電子供給層23上にゲート電極25に対応する開口部24Aを含むキャップ層24形成し、これを覆ったキャリヤがトンネル可能な薄さのTiO2等の金属酸化膜29を形成し、これを絶縁とゲート電極金層の拡散防止の薄膜として、この上にゲート電極25C及びオーミック電極26C、27CからのAu原子の拡散抑制のためのPt層25B、26B、27B、更に金属酸化膜29との密着性を確保するためのTi層25A、26A、27AをTi層、Pt層、Au電極の順に積層形成する。
請求項（抜粋）：
チャネル層を含む半導体層と、前記チャネル層中にキャリアを供給する第1のオーミック電極と、前記チャネル層からキャリアを回収する第2のオーミック電極と、前記チャネル層中を、前記第1のオーミック電極から前記第2のオーミック電極に流れるキャリアを制御するゲート電極とを備えた半導体三端子装置であって、前記ゲート電極は、前記半導体層表面との界面に形成された絶縁性の金属酸化膜を含むことを特徴とする半導体三端子装置。
IPC (6件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/201
FI (5件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/283 E ,  H01L 21/283 L ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/203
Fターム (52件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB11 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD15 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD82 ,  4M104DD86 ,  4M104DD90 ,  4M104EE02 ,  4M104EE06 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF17 ,  4M104GG12 ,  4M104GG20 ,  4M104HH04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH16 ,  5F102FA00 ,  5F102FA05 ,  5F102FB05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT10 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM