特許
J-GLOBAL ID：200903061286896655

厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法

発明者：
斉藤 宏二

斉藤 宏二 について

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三隅 浩一

三隅 浩一 について

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奥井 俊樹

奥井 俊樹 について

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駒野 博司

駒野 博司 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 曾我 道照 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110282
公開番号（公開出願番号）：特開2003-043688
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：
【要約】【課題】 高感度で、メッキ耐性が良好である上に、バンプ形成用材料として好適な厚膜形成に適する厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法を提供すること。【解決手段】 (A)ノボラック樹脂、(B)可塑剤、(C)架橋剤、および(D)酸発生剤を含有することを特徴とする厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物と、該組成物を基材上に塗布、乾燥してなる膜厚5〜100μmのホトレジスト膜。さらに該組成物を電子部品の基板上に塗布し、パターニングし、メッキ処理を行うバンプ形成方法。
請求項（抜粋）：
(A)ノボラック樹脂、(B)可塑剤、(C)架橋剤、および(D)酸発生剤を含有することを特徴とする厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/60
FI (5件)：
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 S
Fターム (16件)：
2H025AA01 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CC05 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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