半導体レーザおよび半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243338
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057401
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】実装基板との熱膨張率の差に起因する応力を緩和してレーザ光偏光特性を向上させ、信頼性を向上できる半導体レーザおよび半導体装置を提供する。【解決手段】ストライプ状のメサ突起10aが形成された基板10と、メサ突起10a上に形成された第1導電型の第1クラッド層11、活性層12および第2導電型の第2クラッド層13と、メサ突起の両側におけるメサ溝10bにおいて、活性層12の両側面に活性層12の全厚さに跨がって接触するように形成された第1導電型の電流ブロック層15とを含む半導体積層体と、半導体積層体の上層に形成された第1電極20と、基板の裏面に形成された第2電極30とを有し、メサ突起10aの高さに起因する段差Hが半導体積層体の表面に形成されており、第1電極20が、2層のPt層(25,27)で応力緩和層であるAu層26を挟んだ積層膜を含むなど、Pt層などの合金化阻止膜を含む構成とする。

請求項（抜粋）：

ストライプ状のメサ突起が形成された基板と、上記メサ突起上に形成された第1導電型の第1クラッド層、活性層および第2導電型の第2クラッド層と、上記メサ突起の両側におけるメサ溝において、上記活性層の両側面に該活性層の全厚さに跨がって接触するように形成された第1導電型の電流ブロック層とを含む半導体積層体と上記半導体積層体の上層に形成された第1電極と、上記基板の裏面に形成された第2電極とを有し、上記メサ突起の高さに起因する段差が上記半導体積層体の表面に形成されており、上記第1電極が、合金化阻止膜を含む半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 5/042 610 , H01L 29/43 , H01S 5/022 , H01S 5/22 610

FI (4件)：

H01S 5/042 610 , H01S 5/022 , H01S 5/22 610 , H01L 29/46 R

Fターム (19件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB11 , 4M104BB15 , 4M104CC01 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104HH05 , 4M104HH20 , 5F073AA22 , 5F073AA61 , 5F073CA05 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA30 , 5F073EA28 , 5F073FA15

引用特許：

出願人引用 (8件)

特許第3011938号
特開平2-174287
特開昭63-302587

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