特許
J-GLOBAL ID：200903061335069034

スパッタリングターゲットとその製造方法

発明者：
渡辺 高志

渡辺 高志 について

, 
小松 透

小松 透 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005964
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217990
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】複数のMo-W合金製ターゲット片を接合してなる大型のスパッタリングターゲットにおいて、接合部などに起因するパーティクルの発生量の増加を抑制する。【解決手段】接合型スパッタリングターゲット1は、Mo-W合金からなる複数のターゲット片2、2...を、例えばHIP処理で固相拡散接合することにより構成されている。ターゲット1を構成するMo-W合金は、複数のターゲット片2、2...間の接合界面4から幅300μmの接合界面近傍領域における平均結晶粒径が3〜50μmの範囲とされており、またターゲット全体としての平均結晶粒径は例えば200μm以下とされている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Mo-W合金からなる複数のターゲット片を接合してなるスパッタリングターゲットであって、 前記複数のターゲット片間の接合界面から幅300μmの接合界面近傍領域における前記Mo-W合金の平均結晶粒径が3〜50μmの範囲であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (7件)：
C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285
FI (8件)：
C23C14/34 A ,  B22F3/10 F ,  B22F3/15 M ,  C22C1/04 D ,  C22C27/04 101 ,  C22C27/04 102 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S
Fターム (25件)：
4K018AA20 ,  4K018AA22 ,  4K018BA09 ,  4K018CA23 ,  4K018DA01 ,  4K018DA11 ,  4K018DA31 ,  4K018EA12 ,  4K018FA06 ,  4K018FA50 ,  4K018KA29 ,  4K029BC03 ,  4K029BC05 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029DC01 ,  4K029DC02 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4M104AA09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD40
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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