特許
J-GLOBAL ID:200903061337284552

負性微分抵抗素子論理回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 純之助 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-147796
公開番号(公開出願番号):特開平10-336017
出願日: 1997年06月05日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】【課題】雑音余裕が大きく誤動作しにくい負性微分抵抗素子論理回路を提供する。【解決手段】負性微分抵抗特性を有する2つの素子A、Xの直列接続回路と、Xと並列接続されたトランジスタMと、Mのゲートに接続された信号入力端子Pと、AとXの接続点Uから引き出した信号出力端子Qと、接地端子Tと、回路に一定電圧VCを供給する端子Kと、端子Rとグランドとの間に挿入され、一定電圧VDDを回路に供給する電圧源VOと、接続点Uと端子Kとの間に接続されたスイッチSとからなる回路。この回路では入力電圧の変化に伴う谷電流の大小関係の逆転を利用して論理動作を実現した。谷電流を得るために必要な素子Xの端子間の電圧VVはVPよりも大きく、そのため大きなgm(VV)が利用でき、トランジスタを大きなgmで動作させ、雑音余裕を大きくできる。
請求項(抜粋):
第1の電極が第1の定電圧電源に接続され、第2の電極が第2の負性微分抵抗素子の第1の電極、トランジスタの一方の電源端子、出力端子、およびスイッチの第1の端子に接続された第1の負性微分抵抗素子と、第1の電極が前記第1の負性微分抵抗素子の第2の電極、前記トランジスタの一方の電源端子、前記出力端子、および前記スイッチの第1の端子に接続され、第2の電極が接地端子および前記トランジスタの他方の電源端子に接続された第2の負性微分抵抗素子と、一方の電源端子が前記第1の負性微分抵抗素子の第2の電極、前記第2の負性微分抵抗素子の第1の電極、前記出力端子、および前記スイッチの第1の端子に接続され、他方の電源端子が前記第2の負性微分抵抗素子の第2の電極および前記接地端子に接続され、制御端子が入力端子に接続されたトランジスタと、第1の端子が前記第1の負性微分抵抗素子の第2の電極、前記第2の負性微分抵抗素子の第1の電極、前記トランジスタの一方の電源端子、および前記出力端子に接続され、第2の端子が第2の定電圧電源に接続されたスイッチと、を備えたことを特徴とする負性微分抵抗素子論理回路。
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-351114   出願人:日本電信電話株式会社
  • 論理ゲート
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-077267   出願人:日本電信電話株式会社
  • 論理ゲート
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-265987   出願人:日本電信電話株式会社
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