半導体レーザの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-261943
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154775
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】電流ブロック層の窓を精度良く形成でき、他層への影響を回避して製造歩留まりの向上が図れる半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】活性層25の両面側に、活性層25の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対の光導波層23、28を設け、活性層25および光導波層23、28を挟むように、光導波層23、28の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のクラッド層22、29をそれぞれ設け、活性層25と光導波層23、28との間に、活性層25および該光導波層23、28の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のキャリアブロック層24、26をそれぞれ設け、光導波層23、28の少なくとも一方にストライプ状の窓を有する電流ブロック層27を埋め込んだ自己整合型半導体レーザにおいて、電流ブロック層27を選択成長によって形成する。

請求項（抜粋）：

活性層の両面側に、該活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のクラッド層をそれぞれ設け、該クラッド層の少なくとも一方にストライプ状の窓を有する電流ブロック層を埋め込んだ自己整合型半導体レーザの製造方法において、前記電流ブロック層を選択成長によって形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-309632 出願人：富士電機株式会社
半導体レーザーおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-283340 出願人：三菱化成株式会社
波長変換レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000190 出願人：松下電子工業株式会社

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