特許

J-GLOBAL ID：200903079452199956

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 松原 邦雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309632
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148672
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】GaAsキャップ層のドーパントであるZnの異常拡散を防止し、高抵抗のLD素子の発生を押さえ、LD素子の製造歩留りを向上させる。【解決手段】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlXGa1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層2、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層3、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層4、第2導電型のGaAsのキャップ層5を順に積層し、さらに誘電体層を形成し、この誘電体層をパターニングした後、Alw Ga1-w As(0≦w≦1)の組成の電流狭窄層6をキャップ層上のみに選択成長した後、誘電体層を除去し、全面に第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層7を積層する工程を有するAlGaAs系半導体レーザ素子の製造方法において、前記誘電体層は、電子ビーム蒸着による誘電体層10aとスパッタによる酸化ケイ素層10の積層である。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層、第2導電型のGaAsのキャップ層を順に積層し、さらに誘電体層を形成し、この誘電体層をパターニングした後、Alw Ga1-w As(0≦w≦1)の組成の電流狭窄層をキャップ層上のみに選択成長した後、誘電体層を除去し、全面に第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層を積層する工程を有するAlGaAs系半導体レーザ素子の製造方法において、前記誘電体層は、電子ビーム蒸着による誘電体層と次いでスパッタにより形成される酸化ケイ素の積層であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。