特許
J-GLOBAL ID：200903061497669620

半導体装置およびその製造方法

発明者：
藤谷 尚樹

藤谷 尚樹 について

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赤星 年隆

赤星 年隆 について

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伊藤 史人

伊藤 史人 について

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福田 敏行

福田 敏行 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-197483
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183923
出願日： 2004年07月05日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】積層型の半導体装置の小型化を図る。【解決手段】第1の半導体素子3と第2の半導体素子8をダイボンド材7を介して接着し、一方の面に第1接着層2と他方の面の周辺部に第2接着層12を有する半導体キャリア1に、フリップチップボンディングにより第1の半導体素子3の電極6aと前記第1接着層2を接合し、ワイヤボンディングにより第2の半導体素子8のボンディングパッド9と半導体キャリア1の第2接着層12とを金属細線10により接続し、半導体キャリア1と第2半導体素子8の間の第1の半導体素子の周囲とワイヤボンディング部に絶縁性の封止樹脂13を充填し、その封止充填領域20を第2の半導体素子8の外形寸法と略同一に形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
他方の面に第1の電極を有する第1の半導体素子と、 外径寸法が前記第1の半導体素子より大きく形成され前記第1の半導体素子の一方の面に接着されるとともにその外周部に第2の電極を有する第2半導体素子と、 前記第1の半導体素子の前記第1の電極にフリップチップボンディングされる第3の電極が一方の面に形成された配線基板と、 前記配線基板の他方の面の外周部に設けられた第4の電極と前記第2の半導体素子の第2の電極との間にワイヤボンディングされた金属細線と、 前記第2の半導体素子と前記配線基板との間で前記第1の半導体素子および前記金属細線を封止する絶縁性の封止樹脂とが具備され、 前記封止樹脂の封止充填領域が第2の半導体素子の外形寸法と略同一になるように形成された半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (1件)：
H01L25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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