特許
J-GLOBAL ID：200903061509773135

レジストパターン、該レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
上島 聡史

上島 聡史 について

, 
佐藤 慶一

佐藤 慶一 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-327745
公開番号（公開出願番号）：特開2003-131395
出願日： 2001年10月25日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、一体型NQDノボラックレジスト材料、疎水性一体型NQDノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、NQDノボラックレジスト材料、一体型NQDノボラックレジスト材料、疎水性一体型NQDノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。
請求項（抜粋）：
一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成された下側レジストパターンと、該下側レジストパターン上に形成された上側レジストパターンとを備えたことを特徴とするレジストパターン。
IPC (6件)：
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 513 ,  G03F 7/023 501 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 513 ,  G03F 7/023 501 ,  G11B 5/31 M ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (37件)：
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE02 ,  2H025DA11 ,  2H025DA13 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA44 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA09 ,  2H096BA10 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA28 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  2H096KA08 ,  2H096KA09 ,  2H096KA14 ,  5D033BA39 ,  5D033DA07 ,  5D033DA31 ,  5D034BA02 ,  5D034DA07 ,  5F046AA20 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046LA12 ,  5F046LA18 ,  5F046MA12
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM