特許
J-GLOBAL ID：200903076679688970

フォトレジスト膜及びそのパターン形成方法

発明者：
伊奈 克芳

伊奈 克芳 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-040012
公開番号（公開出願番号）：特開平11-237745
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 膜厚起因の解像度の低下を克服するフォトレジスト膜は未だ開発されていない。【解決手段】 最下層3がi線で、且つ、最上層5がKrFエキシマレーザーで感光する、又は、最下層3がKrFエキシマレーザーで、且つ、最上層5がArFエキシマレーザーで感光する、又は、最下層3がi線で、且つ、最上層5がArFエキシマレーザーで感光する3層構造のフォトレジスト膜であって、中間層4がi線、KrFエキシマレーザー及びArFエキシマレーザーに対して透過率が50%以下の有機質膜からなる。
請求項（抜粋）：
最下層、中間層及び最上層の3層構造であって、最下層がi線で、且つ、最上層がKrFエキシマレーザーで感光する、又は、最下層がKrFエキシマレーザーで、且つ、最上層がArFエキシマレーザーで感光する、又は、最下層がi線で、且つ、最上層がArFエキシマレーザーで感光するフォトレジスト膜であり、中間層が上記i線、KrFエキシマレーザー及びArFエキシマレーザーに対して所定の透過率を有する有機質の遮光膜であることを特徴とするフォトレジスト膜。
IPC (2件)：
G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 574
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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