特許
J-GLOBAL ID：200903061535566024

半導体装置の製造方法及び高融点金属膜の堆積装置

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  後藤 高志 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-099911
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311545
出願日： 2003年04月03日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】ガス透過性を有する低誘電率膜に形成された凹部の壁面及び底面に原子層堆積法により高融点金属からなるバリア膜を形成する際に、反応性ガスよりなる生成物が低誘電率膜の連続孔に浸潤する事態を防止する。【解決手段】半導体基板10上に形成されたガス透過性を有する低誘電率膜11に接続孔12及び配線溝13を形成した後、第1の高融点金属を主成分とするターゲットを用いると共に、半導体基板10の表面をターゲットの表面に対して傾斜させた状態で半導体基板10を回転させながらスパッタリングを行なうことにより、接続孔12及び配線溝13の壁面及び底面に第1の金属膜14を堆積する。次に、原子層堆積法により、第1の金属膜14の上に第2の高融点金属を主成分とする第2の金属膜15を堆積する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたガス透過性を有する低誘電率膜に配線溝又は接続孔よりなる凹部を形成する工程と、前記凹部の壁面及び底面にバリア膜を形成する工程とを備え、 前記バリア膜を形成する工程は、 第1の高融点金属を主成分とするターゲットを用いると共に、前記基板の表面を前記ターゲットの表面に対して傾斜させた状態で前記基板を回転させながら行なうスパッタリング法により、前記凹部の壁面及び底面に前記第1の高融点金属を主成分とする第1の金属膜を堆積する工程と、 原子層堆積法により、前記第1の金属膜の上に第2の高融点金属を主成分とする第2の金属膜を堆積する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/285 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (7件)：
H01L21/285 S ,  H01L21/285 Z ,  C23C14/06 N ,  C23C14/34 J ,  H01L21/88 K ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 N
Fターム (52件)：
4K029AA01 ,  4K029AA29 ,  4K029BA02 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029DC03 ,  4K029EA07 ,  4K029JA02 ,  4K029JA08 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD12 ,  4M104DD20 ,  4M104DD38 ,  4M104DD39 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP16 ,  5F033PP17 ,  5F033PP22 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13 ,  5F033XX18 ,  5F033XX34
引用特許：
審査官引用 (7件)
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