特許
J-GLOBAL ID：200903061574784381
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182412
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374002
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 発光効率を上げるために、インジウムの局在を多く作り、活性層を成長する前の下地層であるn型半導体層あるいはクラッド層に原子レベルで微小な凹凸を伴う結晶性の乱れを生じさせること及び結晶性の良さを維持することの相反する要求を同時に満した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層、活性層及びp型半導体層を積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型半導体層が、第1成長温度で基板側に形成された第1n型半導体層と、第1成長温度より低い第2成長温度で活性層側に形成された第2n型半導体層とからなり、前記活性層が前記第2成長温度より低い第3成長温度で形成されてなる。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層、活性層及びp型半導体層を積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型半導体層が、第1成長温度で基板側に形成された第1n型半導体層と、第1成長温度より低い第2成長温度で活性層側に形成された第2n型半導体層とからなり、前記活性層が前記第2成長温度より低い第3成長温度で形成されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
