特許
J-GLOBAL ID：200903095065077481

窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法

発明者：
加藤 久喜

加藤 久喜 について

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小出 典克

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浅見 慎也

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渡辺 大志

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出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-036620
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220169
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】従来のダブルヘテロ型のLEDは、GaInN活性層中のInモル分率を減少させることにより発光波長を紫外に近づけると発光出力が減少する。【解決手段】GaInN活性層よりも下に、ピットを持つ歪み緩和層を設け、その層の上にGaInN活性層を積層させることにした。これにより、GaInN活性層内に局所的に歪みの強弱ができるようになり、Inモル分率が低いほど発生し易かったGaInN活性層内の歪みが緩和されるようになった。このため、Inのモル分率を減少させても、発光に直接寄与する電子の局在準位が形成されにくくならず、発光出力が維持できるようになった。また、歪み緩和層に不純物を添加することで歪み緩和層に電気伝導性を付与して、ピットの先端に静電気による高電界が形成されるのを防いだ。これにより、活性層における絶縁破壊を防止し、LEDの寿命が維持できるようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層された発光素子において、光を放出する活性層を含む前記基板から前記活性層までの少なくとも一つの層に、前記基板上に成長する層の結晶構造上の歪みを緩和するためのピットが形成された歪み緩和層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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