半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304262
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127149
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】素子、ウェル、および回路単位で縦横方向が絶縁部材2aで分離された構造の素子3が形成された半導体装置において、高い分離耐圧を有し、さらにSOI基板を使わずに低コストで製造できる半導体装置、および、その製造方法を提供する。【解決手段】絶縁部材2aで埋設された分離溝2と素子3とが形成された半導体基板1を、裏面1b側から絶縁部材2aの底部が突出するまで半導体基板1を薄厚化した後、絶縁層4を介して裏面1bを支持体6と接合する。これにより、絶縁部材2aの突出した部分が絶縁層4に埋め込まれた形状となり、半導体基板1における隣り合う領域が、分離溝2と絶縁層4とによって電気的に絶縁された構成となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)の表面(1a)側に形成された素子(3)が分離溝(2)によって区画され、前記半導体基板(1)の裏面(1b)側において絶縁層(4)を介して支持体(6)に接合されてなる半導体装置であって、前記分離溝(2)内に埋め込まれた絶縁部材(2a)が前記裏面(1b)から突出しており、この突出した部分が、前記絶縁層(4)に埋め込まれた形状となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/762 , H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 B , H01L 27/12 F , H01L 21/76 D

Fターム (17件)：

5F032AA06 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032CA01 , 5F032CA09 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032CA20 , 5F032DA02 , 5F032DA09 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA60 , 5F032DA71

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336549 出願人：松下電子工業株式会社
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-000308 出願人：ソニー株式会社
特開昭60-149146

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