特許
J-GLOBAL ID：200903061659276571

ドライエッチング方法および強誘電体メモリ素子の製造方法

発明者：
山野辺 智美

山野辺 智美 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186355
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031682
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体メモリ素子の電極材料として好適なイリジウム系材料のドライエッチングを可能にする。【解決手段】 SiO2 材料のマスク18aを用いてIrO2 膜16のドライエッチングを行う。エッチング装置としては、比較的低圧力の雰囲気中で高密度のプラズマを発生させるヘリコン波エッチング装置を用いる。エッチングガスとしては、O2 ガスまたはO2 ガスおよびCl2 ガスの混合ガスを用いる。
請求項（抜粋）：
プラズマ中でO2 ガスを反応性ガスとして用いるエッチングによりイリジウム系材料のパターニングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (7件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (4件)
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