特許
J-GLOBAL ID：200903061666621500

窒化物半導体、窒化物半導体ウェハ及びその製造方法

発明者：
藤倉 序章

藤倉 序章 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141231
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322840
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】素子劣化を引き起こすMgを用いずに、LED、LDおよびバイポーラトランジスタなどのp型伝導層を得ること。【解決手段】最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のV族極性面を有する基板上に、少なくともp型伝導層とn型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。そのアクセプタとしての不純物としては、C、Si、Ge、Snのいずれかを用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも最表面にウルツ鉱型の窒化物半導体のV族極性面を有する基板上に形成されたp型の窒化物半導体。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
Fターム (15件)：
5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AE29 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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