有機半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019995
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235298
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】絶縁層の絶縁強度及び有機半導体のキャリア移動度が共に高い有機半導体素子を提供する。【解決手段】半導体層5が有機化合物からなる有機半導体素子1であり、ゲート電極3とゲート絶縁層4の間にゲート電極材の酸化物からなるゲート酸化膜8が設けられ、ゲート絶縁層4は有機化合物からなっている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電流チャンネルとして作用する有機半導体層と、絶縁特性を有する材料からなるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層に対向する位置に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を挟む位置において前記有機半導体層に接続したソース電極とドレイン電極と、を含む有機半導体素子であって、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層の間にゲート電極材の酸化物からなるゲート酸化膜を含み、前記ゲート絶縁層は有機化合物からなる、ことを特徴とする有機半導体素子。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617W , H01L29/78 617M , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L29/28

Fターム (28件)：

5F110AA12 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-233342 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法及びアクティブマトリクス液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-191987 出願人：エルジー電子株式会社
有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-288538 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

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