有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-315840
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152959
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】低電圧駆動が可能であり、低コストの有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタシートを提供する。【解決手段】支持体上に互いに異なる金属からなる第1、第2金属層を形成し、少なくとも第2金属の一部を陽極酸化することにより、ゲート絶縁層の少なくとも一部を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体からなる活性層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極は第1金属層からなり、前記ゲート絶縁層の少なくとも一部は前記第1金属層を構成する金属とは異なる金属の第2陽極酸化膜からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L21/316 T , H01L29/78 617W , H01L29/28 , H01L29/58 G

Fターム (59件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 5F058BA01 , 5F058BA06 , 5F058BC03 , 5F058BF70 , 5F058BJ01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE11 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF24 , 5F110FF25 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-143540 出願人：新日本製鐵株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-340254 出願人：日本電気株式会社
特開昭64-035421

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