特許
J-GLOBAL ID：200903061703303646

超純水用膜モジュールの洗浄方法

発明者：
地蔵 眞一

地蔵 眞一 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-035862
公開番号（公開出願番号）：特開2006-218440
出願日： 2005年02月14日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 半導体製造工場で使用される超純水中へのイオン、有機物の溶出を低減し、極めて純度の高い超純水を安定供給することができ、かつ超純水の使用における立上り時間を短縮することができる超純水用膜モジュールの洗浄方法を提供すること。【解決手段】 超純水の製造システムに使用する外圧型中空糸膜モジュールの洗浄方法であって、洗浄に使用する洗浄水の温度を60°C以上とし、かつ、正濾過工程、逆濾過工程、浸漬工程、フラッシング工程、および排出工程のうちのいずれか2以上の工程を組み合わせることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
超純水の製造システムに使用する外圧型中空糸膜モジュールの洗浄方法であって、洗浄に使用する洗浄水の温度を60°C以上とし、かつ、正濾過工程、逆濾過工程、浸漬工程、フラッシング工程、および排出工程のうちのいずれか2以上の工程を組み合わせることを特徴とする超純水用膜モジュールの洗浄方法。
IPC (3件)：
C02F 1/44 ,  B01D 63/02 ,  B01D 65/02
FI (4件)：
C02F1/44 J ,  B01D63/02 ,  B01D65/02 ,  B01D65/02 530
Fターム (9件)：
4D006GA02 ,  4D006HA19 ,  4D006KC02 ,  4D006KC03 ,  4D006KC05 ,  4D006KC15 ,  4D006KE16R ,  4D006KE28R ,  4D006PC02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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