特許

J-GLOBAL ID：200903061730794651

詳細観察の機能を備えた電子線装置、及びその電子線装置による試料の検査並びに試料観察方法

発明者： 渡辺 賢治 ,  佐竹 徹 ,  野路 伸治 ,  村上 武司 ,  狩俣 努 ,  山崎 裕一郎 ,  長濱 一郎太 ,  大西 篤志
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所 ,  株式会社東芝
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  千葉 昭男 ,  星野 修 ,  神田 藤博 ,  内田 博 ,  宮前 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-376827
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209645
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】同一の電子線装置を使用して試料の詳細観察をすることができる試料観察方法を提供する。【解決手段】試料表面に対して前記電子ビームを照射する一次光学系10と、前記試料表面から放出される二次電子を検出して試料表面の画像を形成する二次光学系30とを備えた電子線装置1を使用する。電子ビームを試料表面Sに照射して試料表面の検査を行い、その検査に基づいて試料の欠陥部位を抽出した後、抽出された欠陥部位に再度電子ビームを照射して欠陥部位の拡大または詳細観察を行う。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

電子ビーム照射により試料表面の観察を行う試料観察方法において、試料表面に向けて前記電子ビームを照射する一次光学系と、前記試料表面の情報を得た電子を検出する二次光学系とを備えた電子線装置を使用し、前記電子ビームを試料表面に照射して試料表面の検査を行い、その検査に基づいて試料の欠陥部位を抽出した後、前記抽出された欠陥部位に再度電子ビームを照射して前記欠陥部位の拡大または詳細観察を行うことを特徴とする、試料観察方法。

IPC (2件)：

H01J37/28 ,  H01L21/66

FI (2件)：

H01J37/28 B ,  H01L21/66 J

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB04 ,  4M106DB05 ,  4M106DB12 ,  4M106DB18 ,  5C033UU02 ,  5C033UU04 ,  5C033UU05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041346   出願人：株式会社東芝
• 電子ビームを用いた検査方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-300275   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

• 検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-360306   出願人：株式会社ニコン
• ミラー型電子顕微鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-250766   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立サイエンスシステムズ
• パターン欠陥検査方法および検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-091269   出願人：株式会社日立製作所
• パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-002002   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• 特開平4-051441
  
• 被検査パターンの検査方法及び製造プロセス診断方法並びに半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285368   出願人：株式会社日立製作所