単分子層堆積方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-552141
公開番号（公開出願番号）：特表2008-529277
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

多数変数制御器を含む適応性実時間プロセスシステムが提供される。この方法は、単分子層プロセスシステムの動的モデルを生成し、この動的モデルに仮想センサを組み込む。この方法は、インテリジェント設定点、動的モデル、かつ/または仮想センサを含むプロセス・レシピを使用する。

請求項（抜粋）：

単分子層堆積(MLD)プロセスシステムを操作する方法であって: プロセスチャンバに複数のウェハを配置する工程; 第1の前駆体含有ガスの第1の期間における第1の流量と前記第1の前駆体含有ガスの第2の期間における第2の流量とのうちの少なくとも一つを設定する第1の組のインテリジェント設定点を有する第1のプロセス・レシピにより制御される第1の前駆体プロセスを実施する工程; 第2の組のインテリジェント設定点を有する第2のプロセス・レシピにより制御される第1のパージプロセスを実施する工程; 第2の前駆体含有ガスの第3の期間における第3の流量と前記第2の前駆体含有ガスの第4の期間における第4の流量とのうちの少なくとも一つを設定する第3の組のインテリジェント設定点を有する第3のプロセス・レシピにより制御される第2の前駆体プロセスを実施する工程; 第4の組のインテリジェント設定点を有する第4のプロセス・レシピにより制御される第2のパージプロセスを実施する工程;および所望の厚さを有する膜が前記複数のウェハに堆積されるまで上記の4工程を反復する工程、を備える方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/52 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/316 X , C23C16/52 , H01L21/31 B

Fターム (27件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030HA01 , 4K030JA06 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045BB09 , 5F045DP19 , 5F045DQ04 , 5F045EE17 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045GB05 , 5F045GB06 , 5F045GB07 , 5F045GB09 , 5F045GB17 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF22 , 5F058BG10 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体の熱処理方法及び熱処理装置並びに半導体の評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-207823 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-072650 出願人：東京エレクトロン株式会社
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-032416 出願人：金沢大学長

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