平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清水守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-500965
公開番号（公開出願番号）：特表2008-533723
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

平坦な半極性窒化物薄膜の大面積が基板の表面に平行であるような、ミスカットスピネル基板上への平坦な半極性窒化物薄膜の成長方法。平坦な薄膜と基板は(1)特定の方向にミスカットした{100}スピネル基板上に成長した{10-11}窒化ガリウム (GaN)、(2){110}スピネル基板上に成長した{10-13}窒化ガリウム (GaN)、(3){1-100}サファイヤ基板上に成長した{11-22}窒化ガリウム (GaN)、および(4){1-100}サファイヤ基板上に成長した{10-13}窒化ガリウム (GaN)である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒化薄膜を成長する方法であって、基板上に平坦な半極性窒化物薄膜を成長する工程を備えており、前記平坦な半極性窒化物薄膜が前記基板表面に平行に成長することを特徴とする、窒化物薄膜を成長する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C

Fターム (16件)：

5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-211620
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-014946 出願人：三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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