半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-002919
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203989
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、格子状に連なっているpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において,ドレイン電流特性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供することである。【解決手段】pチャネル型電界効果トランジスタのチャネル部分に圧縮応力が発生するように,複数のトランジスタにまたがる長いアクティブをゲート電極ごとに分断して、ゲート電極とゲート電極の間に十分に細いSTIを配置する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成されるp型電界効果型トランジスタを構成する複数のゲート電極が配置され、前記ゲート電極の位置する領域を含んで形成される複数のアクティブ領域とを有し、前記ゲート電極は、第一のゲート電極と、前記第一のゲート電極の長手方向と同じ方向の長手方向を有し、前記第一のゲート電極に並んで配置される第二のゲート電極と、を有し、前記アクティブ領域は、前記第一のゲート電極の一部が位置する第一のアクティブ領域と、前記第二のゲート電極が位置する第二のアクティブ領域と、を有し、前記第一のアクティブ領域と第二のアクティブ領域との間には、ゲート電極の長手方向の幅の方がゲート電極の長手方向と交わる方向の幅より広い溝が形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8238 , H01L 21/76 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/08 331 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 27/08 321 C , H01L 27/04 A , H01L 27/08 321 D , H01L 21/76 L , H01L 29/78 301 H

Fターム (55件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA46 , 5F032AA82 , 5F032BA01 , 5F032BA05 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F038AV06 , 5F038CA02 , 5F038CA05 , 5F038CA06 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AB03 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048BC02 , 5F048BD01 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F140AA21 , 5F140AA29 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BB01 , 5F140BC19 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BH02 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ25 , 5F140CB04 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC13

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-030676 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-217135 出願人：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-322346 出願人：株式会社東芝

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