不揮発性半導体メモリおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114145
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309192
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】安定でかつ信頼性の高い不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 p型シリコン半導体基板15に溝13a,13bを形成し、この溝13a,13b底面部に、不純物拡散層12a,12bを形成する。このようなp型シリコン半導体基板15上に、シリコン酸化膜からなる第1絶縁膜16a、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜16b、およびシリコン酸化膜からなる第2絶縁膜16cが順に積層された3層構造のゲート絶縁膜16が形成される。このゲート絶縁膜16上に、ゲート電極11が形成される。ここで、溝13a,13bによって形成された凸部14は、不揮発性半導体メモリ10のチャネル領域となる。この不揮発性半導体メモリ10では、素子が微細化されても、その実効的なチャネル長が確保されるので、安定で、高い信頼性を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板とゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜内に電荷捕獲領域を有する不揮発性半導体メモリにおいて、凸部を有する半導体基板上に形成されて、前記凸部の側壁部に電荷捕獲領域が形成されるゲート絶縁膜を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (38件)：

5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP43 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083ER11 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083ER21 , 5F083ER30 , 5F083GA03 , 5F083GA09 , 5F083GA15 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA08 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083PR07 , 5F083PR37 , 5F083PR40 , 5F083ZA21 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BC13 , 5F101BD10 , 5F101BD13 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05 , 5F101BF08 , 5F101BH05 , 5F101BH13

引用特許：

審査官引用 (7件)

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-194332 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193004 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
電気的にプログラム可能なメモリセル装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-010089 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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