特許
J-GLOBAL ID：200903062000861902
剥離剤組成物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352218
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191002
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】環境に対する負荷が低く、低温で短時間の洗浄条件下においても、アッシング後に発生するレジスト残渣および金属配線由来の金属酸化生成物(例えば、アルミニウム、銅およびチタン系の酸化生成物)、特にアルミニウム系の酸化生成物の剥離性に優れ、かつ、金属配線(特にアルミニウムを含有する金属配線)に対する防食性に優れる剥離剤組成物を提供すること。【解決手段】半導体基板または半導体素子の洗浄に用いる剥離剤組成物であって、(1)該剥離剤組成物が、65重量%以上の水を含有し、(2)該剥離剤組成物が、20°Cにおいて2以上6以下のpHを有し、(3)該剥離剤組成物が、(I)糖類、アミノ酸化合物、有機酸塩および無機酸塩からなる群より選択される少なくとも1種および0.01〜1重量%のケイフッ化アンモニウム、または(II)有機ホスホン酸および含フッ素化合物、を含有する剥離剤組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体基板または半導体素子の洗浄に用いる剥離剤組成物であって、
(1)該剥離剤組成物が、65重量%以上の水を含有し、
(2)該剥離剤組成物が、20°Cにおいて2以上6以下のpHを有し、
(3)該剥離剤組成物が、
(I)糖類、アミノ酸化合物、有機酸塩および無機酸塩からなる群より選択される少なくとも1種および0.01〜1重量%のケイフッ化アンモニウム、または
(II)有機ホスホン酸および含フッ素化合物、を含有する
剥離剤組成物。
IPC (2件)：
H01L 21/304
, H01L 21/027
H01L21/304 647A
, H01L21/304 647Z
, H01L21/30 572B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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