膜形成用組成物及び膜の形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-165604
公開番号（公開出願番号）：特開2006-022314
出願日： 2005年06月06日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】シリコンウェハー、ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ或いはレンズなどの基体上に、透明であって、しかも、低反射率で且つ低誘電率であるとともに、械的強度や基板に対する密着性に優れた薄膜を形成するための膜形成用組成物及び膜の形成方法に関する。【解決手段】粒子表面に存在するシラノール基が、疎水性基を有する表面改質剤で処理されたシリカ粒子と、ポリシラン化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物とする。また、この膜形成用組成物を、基体上に塗布した後に、熱処理及び/又は光処理することを特徴とする膜形成方法とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

粒子表面に存在するシラノール基が疎水性基を有する表面改質剤で疎水化処理されたシリカ粒子と、ポリシラン化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (15件)：

C09D 183/16 , C08G 77/38 , C08K 5/10 , C08K 9/06 , C08L 53/00 , C08L 83/16 , C09C 1/28 , C09C 3/12 , C09D 4/00 , C09D 5/25 , C09D 7/12 , C09D 153/00 , H01L 21/312 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (15件)：

C09D183/16 , C08G77/38 , C08K5/10 , C08K9/06 , C08L53/00 , C08L83/16 , C09C1/28 , C09C3/12 , C09D4/00 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D153/00 , H01L21/312 D , H01L21/90 J , H01L21/90 Q

Fターム (93件)：

4J002CP211 , 4J002DJ016 , 4J002EH077 , 4J002FB096 , 4J002FD206 , 4J002GH01 , 4J002GH02 , 4J002HA08 , 4J037AA18 , 4J037CB23 , 4J037DD05 , 4J037EE02 , 4J037EE11 , 4J037EE28 , 4J037EE43 , 4J037FF15 , 4J037FF18 , 4J038CQ002 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038FA102 , 4J038HA446 , 4J038KA06 , 4J038KA08 , 4J038KA12 , 4J038KA20 , 4J038MA14 , 4J038NA01 , 4J038NA11 , 4J038NA12 , 4J038NA21 , 4J038PA17 , 4J038PA19 , 4J246AA02 , 4J246BA010 , 4J246BA020 , 4J246BA110 , 4J246BA120 , 4J246BA210 , 4J246BA220 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246CA03M , 4J246CA07M , 4J246CA08M , 4J246CA13M , 4J246CA23M , 4J246CA240 , 4J246CA340 , 4J246CA40M , 4J246CA40X , 4J246CA400 , 4J246CA44M , 4J246CA46M , 4J246CA56M , 4J246CA58M , 4J246CA65X , 4J246CA680 , 4J246CA76M , 4J246CA760 , 4J246CA830 , 4J246FA421 , 4J246FA431 , 4J246FA461 , 4J246FA621 , 4J246GB22 , 4J246GB27 , 4J246GB32 , 4J246GC01 , 4J246GC24 , 4J246GC37 , 4J246GC49 , 4J246GC53 , 4J246HA25 , 4J246HA26 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR24 , 5F033SS22 , 5F033XX12 , 5F033XX17 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F058AA06 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC07 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH02 , 5F058AH03

引用特許：

出願人引用 (15件)

特開平02-264902号公報
半導体装置の絶縁膜およびその絶縁膜形成用塗布液
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331689 出願人：川崎製鉄株式会社
国際公開第96/758号パンフレット

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審査官引用 (5件)

特開平3-103860
特開平3-103860
低屈折率膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-014001 出願人：松川公洋, 松浦幸仁, 積水化学工業株式会社

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