特許
J-GLOBAL ID：200903062022727495

抵抗変化素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ

発明者：
小田川 明弘

小田川 明弘 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-190862
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021750
出願日： 2006年07月11日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】抵抗変化層を薄くしてもリーク(およびそれに伴うショート)が少ない抵抗変化素子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリを提供する。【解決手段】第1の電極11と、第2の電極13と、第1の電極11と第2の電極14との間に積層された抵抗変化層12および絶縁層(トンネルバリア層14)とを含む。トンネルバリア層14の厚さは、0.5nm以上5nm以下である。抵抗変化層12は、第1の電極11と第2の電極13との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層である。抵抗変化層12は、遷移金属酸化物を主成分とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に積層された抵抗変化層および絶縁層とを含み、 前記絶縁層の厚さが0.5nm以上5nm以下であり、 前記抵抗変化層は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層であり、 前記抵抗変化層が遷移金属酸化物を主成分とする抵抗変化素子。
IPC (1件)：
H01L 27/10
FI (1件)：
H01L27/10 451
Fターム (18件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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