特許
J-GLOBAL ID：200903062102814208

半導体装置及びその製造方法

発明者：
鳥居 道治

鳥居 道治 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-289030
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124255
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップの電極バンプを狭ピッチ化しても、リードと電極バンプとの接合の信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 テープキャリアのベースフィルム1のデバイスホール2内に半導体チップ4が設置されている。デバイスホール2の内方に向かって各インナーリード3の先端部分が延びて、半導体チップ4上の電極バンプ5と接続されている。電極バンプ5は、上方からみたときにインナーリード3が延びる方向に対して平行ではなく交差しており、平行四辺形の鋭角側の1コーナー部がインナーリード3の延びる方向に切り欠かれた形状となっている。インナーリード3に対して電極バンプ5を交差させることにより、実際の電極バンプ5の線幅を小さくしても、インナーリード3が延びる方向に直交する方向における見かけ上の電極バンプ5の幅を大きくすることができ、高い接合の信頼性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子を内蔵する半導体チップと、上記半導体チップの上面に設けられた複数の電極バンプと、上記複数の電極バンプと外部機器との間を電気的に接続するための複数のリードとを備えた半導体装置であって、上記複数の電極バンプのうち少なくとも一部の電極バンプは、平面視において、当該電極バンプが接続されるリードが延びる方向と交差する方向に延びる部分を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (2件)：
H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/92 602 N
Fターム (7件)：
5F044KK08 ,  5F044MM03 ,  5F044MM13 ,  5F044MM24 ,  5F044NN01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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