特許
J-GLOBAL ID：200903062147422742

熱処理装置及びその方法、並びにパターン形成方法

発明者：
新屋 浩

新屋 浩 について

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水本 一剛

水本 一剛 について

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林田 和久

林田 和久 について

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磧本 栄一

磧本 栄一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385187
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184682
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 塗布液例えば化学増幅型レジストが塗布された基板の熱処理を行うにあたり、レジストの膜質均一性を高めること。【解決手段】 例えば塗布、現像装置に設けられる加熱ユニット2において、前記処理容器21への不活性ガスの通流量を極めて小さい第1の通流量例えば0.5リットル/分にして、加熱プレート4に化学増幅型レジストが塗布されたウエハWを載置して加熱し、次いで前記不活性ガスの通流量を第1の通流量よりも大きい第2の通流量例えば3リットル/分にして、さらに加熱プレートによりウエハWを加熱する。このようにするとレジストに含まれる光酸発生剤の飛散の程度をウエハ面内において揃えた状態でレジストの溶剤を揮発させることができ、レジストの膜質の均一性を確保した状態で熱処理を行うことができる。
請求項（抜粋）：
処理容器の内部に設けられ、基板を載置し、これにより塗布液が塗布された基板を加熱するための、所定の温度に調整される加熱プレートと、処理容器の内部に不活性ガスを供給するためのガス供給路と、処理容器の内部雰囲気を処理容器外部に排気するための排気路と、前記ガス供給路に設けられ、処理容器内部への前記不活性ガスの供給流量を調整するための第1の流量調整部と、前記排気路に設けられ、前記処理容器の排気流量を調整するための第2の流量調整部と、前記第1の流量調整部の不活性ガスの供給流量及び第2の流量調整部の処理容器の排気流量を制御する制御部と、を備え、処理容器内の前記不活性ガスの通流量を、極めて小さい第1の通流量にして前記加熱プレートにより前記基板を加熱し、次いで前記不活性ガスの通流量を前記第1の通流量よりも大きい第2の通流量にして、前記加熱プレートにより前記基板を加熱することを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/30 501 ,  G03F 7/38
FI (3件)：
G03F 7/30 501 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/30 567
Fターム (12件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA21 ,  2H096GB03 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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