特許
J-GLOBAL ID:200903062178388984
半導体ウェーハの面取り方法およびその装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
安倍 逸郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-064700
公開番号(公開出願番号):特開平8-236486
出願日: 1995年02月27日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【目的】 ウェーハの面取りでの安定した高収率を確保すると同時に、切削条件の最適値を検出する。【構成】 モータ14で駆動されて回転する面取りホイール12を半導体ウェーハの外縁部に摺接させ、面取りする。この間のモータ14の負荷を電流計17・電圧計18で連続して測定し、制御装置16でその測定値のパターンを検出する。さらに、制御装置16では、このパターンを正常時と比較して面取り異常を検出し、対応した処理を行う。例えば面取りホイール12に異常がある場合、ホイールの砥石面の自動ドレスを行う。ウェーハにチッピングが発生すると、ダイヤモンド砥石面の自動ドレスと材料ロットのチェックを行う。ホイール回転数の変動時は、モータ14の回転動作系をチェックする。ウェーハの回転速度の変動時は、その回転速度をチェックする。
請求項(抜粋):
面取りホイールを駆動回転させながら、この面取りホイールを半導体ウェーハの外縁部に摺接させることにより、半導体ウェーハの外縁部の面取りを行う半導体ウェーハの面取り方法において、半導体ウェーハの面取り時、上記面取りホイールの回転負荷を連続的に測定し、この測定データに基づいて面取りの異常を検出する半導体ウェーハの面取り方法。
IPC (3件):
H01L 21/304 301
, B24B 9/00
, H01L 21/02
FI (3件):
H01L 21/304 301 B
, B24B 9/00 L
, H01L 21/02 B
引用特許:
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