特許
J-GLOBAL ID：200903062194603968

単結晶の引上げ方法

発明者：
久一 俊雄

久一 俊雄 について


出願人/特許権者：
コバレントマテリアル株式会社

コバレントマテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-026260
公開番号（公開出願番号）：特開2008-189524
出願日： 2007年02月06日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】大口径の単結晶引上げ時に、ネック部が破断することなく、且つ、種結晶から直胴部への熱ショック転位の伝播を防止することのできる単結晶の引上げ方法を提供する。【解決手段】ネック部P1に、ネック部P1の径を拡径する拡径部21とネック部P1の径を縮径する縮径部22とを交互に複数形成し、ネック部P1に複数の拡径部21及び縮径部22を形成する際、各縮径部21における最小径が4.0mm〜6.0mmの範囲内で設定された値となるよう各縮径部21を形成すると共に、各拡径部22の最大径d1から各縮径部22の最小径d2までの直径差の変動幅が0.5mm〜2.0mmの範囲内となるよう制御し、且つ、ネック部P1の長さ寸法lを200mm〜400mmの範囲内とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
種結晶をルツボ内のシリコン融液に接触し、ネック部を育成してチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げる単結晶の引上げ方法において、 前記ネック部に、該ネック部の径を拡径する拡径部と該ネック部の径を縮径する縮径部とを交互に複数形成し、 前記ネック部に複数の前記拡径部及び前記縮径部を形成する際、 各縮径部における最小径が4.0mm〜6.0mmの範囲内で設定された値となるよう各縮径部を形成すると共に、各拡径部の最大径から各縮径部の最小径までの直径差の変動幅が0.5mm〜2.0mmの範囲内となるよう制御し、 且つ、前記ネック部の長さ寸法を200mm〜400mmの範囲内とすることを特徴とする単結晶の引上げ方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/00
FI (3件)：
C30B29/06 502F ,  C30B29/06 502J ,  C30B15/00 Z
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH04 ,  4G077EH09 ,  4G077HA12 ,  4G077PA01 ,  4G077PF17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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