特許
J-GLOBAL ID:200903062234973259
カーボンナノチューブ形成装置、カーボンナノチューブ形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-224097
公開番号(公開出願番号):特開2008-044828
出願日: 2006年08月21日
公開日(公表日): 2008年02月28日
要約:
【要 約】【課題】品質のよいカーボンナノチューブを製造する。【解決手段】原料ガスを導入する上部電極13と基板21を配置する下部電極12の間に通気孔18を有する中間電極14を配置し、中間電極14をカソード、上部電極13をアノードとしてその間にプラズマを発生させる。正電荷の気体は中間電極14に引き付けられ、中間電極14に入射するので通気孔18を通過できない。ラジカルは電荷を有さないので中間電極14に引き付けられず、通気孔18を通過し、基板21の表面に到達すると、基板21表面の触媒金属層と反応し、カーボンナノチューブが正電荷の気体に曝されず、欠陥が生じない。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
真空槽と、
前記真空槽内に配置され、基板が載置される下部電極と、
前記下部電極と対面する位置に配置された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極の間に位置し、複数の通気孔が形成された中間電極と、
前記真空槽内の前記上部電極と前記中間電極の間に炭化水素ガスを導入する原料ガス導入系と、
前記上部電極に接続され、前記中間電極に対する正電圧と負電圧を、前記上部電極に交互に印加する電源装置とを有するカーボンナノチューブ形成装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (17件):
4G146AA11
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC16
, 4G146BC25
, 4G146BC27
, 4G146BC38B
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA16
, 4G146DA23
, 4G146DA33
, 4G146DA40
引用特許: